1、日本DISCO芯片分割機(jī)DDS2010
兼顧小型芯片元器件產(chǎn)品在隱形切割TM分割時(shí)的高成品率和高生產(chǎn)效率
Φ200 mm
SDTT
切實(shí)地分割小芯片晶圓
由于可對(duì)隱形切割加工后的晶圓進(jìn)行高成品率，高生產(chǎn)效率的分割，因此只要一臺(tái)機(jī)器便可對(duì)應(yīng)擴(kuò)片(Expand)和裂片(Breaking) 。
※將激光聚焦在加工物內(nèi)部產(chǎn)生變質(zhì)層，再利用膠膜擴(kuò)片等方法進(jìn)行晶圓分割的切割方法?？捎行p少IC標(biāo)簽和線傳感器等小芯片/長(zhǎng)芯片等產(chǎn)品元件的切割道。
高生產(chǎn)效率
通過(guò)采用不受芯片尺寸約束，以一定的速度進(jìn)行晶圓分割的掃描裂片，相比與每條線都需停止才能進(jìn)行分割的三點(diǎn)彎曲裂片，可縮短分割時(shí)間。
膠膜擴(kuò)片＋掃描裂片
將膠膜擴(kuò)片后仍未分割的芯片用掃描桿進(jìn)行裂片，可抑制芯片的未分割。
晶圓分割后，可在保持芯片間距離的狀態(tài)下，轉(zhuǎn)貼到與晶圓直徑尺寸相同的膠膜框架上。
大幅度的縮短分割時(shí)間
晶圓 Φ8 inch x 0.1 mm thick
Si芯片尺寸 0.5 × 0.5 mm
注1:數(shù)值為本公司的實(shí)測(cè)值
注2:加工時(shí)間為個(gè)例，在不同條件下結(jié)果有所不同
Process flow
分割時(shí)集成電路面無(wú)需保護(hù)膜
通過(guò)預(yù)先擴(kuò)片，防止分割時(shí)的破損
技術(shù)規(guī)格
Specification Unit
Max. workpiece size - Φ8 inch
Dice size mm 0.1～0.5 (narrow side)
Max. 20 mm (long side) *long die only
Wafer mounting accuracy X/Y direction (frame mount) mm ±2.5
Wafer mounting accuracy θ direction (frame mount) ° ±3°
Equipment dimensions (W×D×H) mm 718 × 897 × 1,608 (including status indicator)
Equipment weight kg Approx.450
※為了改善，機(jī)器的外觀，特征，規(guī)格等本公司可能在未預(yù)先通知用戶的情況下實(shí)施變更。
※使用時(shí)，請(qǐng)先確認(rèn)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格書。
2、日本DISCO芯片分割機(jī)DDS2300
高品質(zhì)DAF分割的芯片分割設(shè)備
Φ300 mm
SDBG
SDTT
提高粘貼于DAF上的薄晶圓分割品質(zhì)
在有DAF(Die Attach Film)的薄晶圓分割工藝中，全切割時(shí)會(huì)面臨切割面上發(fā)生DAF毛邊(Burr)， 或在貼片工藝時(shí)發(fā)生pick up不良等課題。在切割工藝中采用DDS2300可提高DAF的切割品質(zhì)，可改善以上課題。
有效于DBG工藝后的DAF切割
在適合于薄芯片制造的DBG(Dicing Before Grinding)工藝中使用DAF時(shí)，在已被分割成芯片的背面粘貼DAF之后，需要只切割DAF的工藝。用以往的激光加工方法切斷DAF時(shí)，需要表面保護(hù)溶液等消耗品。采用DDS2300可抑制激光對(duì)DAF的切割深度，以減少加工碎屑，有望大幅度地降低消耗品的成本。
實(shí)現(xiàn)隱形切割TM加工后穩(wěn)定的芯片分割
可實(shí)現(xiàn)對(duì)隱形切割后在內(nèi)部形成變質(zhì)層的晶圓進(jìn)行穩(wěn)定的芯片分割。
這是對(duì)粘貼有DAF的薄晶圓進(jìn)行隱形切割時(shí)，特別有效的制程工藝。
通過(guò)冷擴(kuò)片提高DAF分割品質(zhì)
為穩(wěn)定地分割DAF而采用冷擴(kuò)片方式。利用DAF在低溫時(shí)會(huì)脆化的特性，在低溫的環(huán)境下進(jìn)行擴(kuò)展，實(shí)現(xiàn)高品質(zhì)的DAF分割。
通過(guò)膠膜框架搬送，順暢地進(jìn)入下一工序
通過(guò)熱收縮可消除擴(kuò)展后在切割膠帶外圍所產(chǎn)生的松弛。不必重新貼換膠膜，可直接將膠膜框架送往貼片工序(die bonding process)。
咨詢電話：13522079385
適用的應(yīng)用例
隱形切割加工后的DAF分割
DBG后的DAF分割
隱形切割后的芯片分割
工作流程系統(tǒng)
取物夾將加工物從晶圓盒取出，送往框架定位平臺(tái) →
在框架定位平臺(tái)定位后，送往中間平臺(tái) →
移至冷擴(kuò)展臺(tái)上，進(jìn)行冷擴(kuò)展 →
移至熱擴(kuò)展臺(tái)上，再次進(jìn)行擴(kuò)展· 熱收縮 →
移至離心清洗臺(tái)上，進(jìn)行清洗 干燥 →
移至UV照射臺(tái)上，進(jìn)行UV照射 →
取物夾將加工物收回晶圓盒內(nèi)
技術(shù)規(guī)格
Specification Unit
Max. workpiece size mm Φ300
Cooler stage Temperature setting range ℃ 0 or -5 (fixed)
(setting when shipped from the Plant)
Max. upthrust amount mm 30
Upthrust amount setting range mm 0 ～ 30 (step 0.001)
Max. upthrust speed mm/s 400
Upthrust speed setting range mm/s 0.001 ～ 400 (step 0.001)
Heat shrink stage Hot air temperature setting range ℃ 200 or 220 or 250 (selective)
Max. upthrust amount mm 20
Upthrust amount setting range mm 0 ～ 20 (step 0.001)
Max. up thrust speed mm/s 50
Upthrust speed setting range mm/s 0.001 ～ 50 (step 0.001)
Equipment dimensions (W×D×H) mm 1,200 × 1,550 × 1,800
Equipment weight kg Approx.900
3、日本DISCO芯片分割機(jī)DDS2310
針對(duì)小芯片晶圓分割的芯片分割設(shè)備
Φ300 mm
SDBG
SDTT
實(shí)現(xiàn)隱形切割TM加工后穩(wěn)定的小型芯片分割
可實(shí)現(xiàn)對(duì)隱形切割加工后在內(nèi)部形成變質(zhì)層的晶圓進(jìn)行高品質(zhì)的芯片分割。
特別有效于使用隱形切割加工小型芯片的場(chǎng)合。
保持?jǐn)U寬且均勻的切痕
通過(guò)為小芯片的分割而開發(fā)的熱擴(kuò)工作盤以及FIR(Far Infrared/遠(yuǎn)紅外線）加熱器，使小芯片也可保持足夠?qū)挾鹊那泻邸?/span>
標(biāo)準(zhǔn)搭配4個(gè)FIR加熱器，提高生產(chǎn)效率
通過(guò)搭載4個(gè)FIR加熱器，提高膠膜的收縮性能，實(shí)現(xiàn)小芯片分割生產(chǎn)效率的提高
通過(guò)冷擴(kuò)片提高DAF分割品質(zhì)
通過(guò)采用冷擴(kuò)片方式，不僅對(duì)小芯片分割，而且對(duì)DAF分割，都能實(shí)施穩(wěn)定的分割。
通過(guò)膠膜框架搬送，順暢地進(jìn)入下一工序
通過(guò)熱收縮可消除擴(kuò)展后在切割膠帶外圍所產(chǎn)生的松弛。不必重新貼換膠膜，可直接將膠膜框架送往貼片工序(die bonding process)。
適用的應(yīng)用例
隱形切割加工后的DAF分割
DBG后的DAF分割
隱形切割后的芯片分割
工作流程系統(tǒng)
取物夾將加工物從晶圓盒取出，送往框架定位平臺(tái) →
在框架定位平臺(tái)定位后，送往中間平臺(tái) →
移至冷擴(kuò)展臺(tái)上，進(jìn)行冷擴(kuò)展 →
移至熱擴(kuò)展臺(tái)上，再次進(jìn)行擴(kuò)展· 熱收縮 →
移至離心清洗臺(tái)上，進(jìn)行清洗 干燥 →
移至UV照射臺(tái)（特別附屬品）上，進(jìn)行UV照射 →
取物夾將加工物收回晶圓盒內(nèi)
技術(shù)規(guī)格
Specification Unit
Max. workpiece size mm Φ300
Cooler stage Temperature setting range ℃ 0 or -5 (fixed)
(setting when shipped from the Plant)
Max. upthrust amount mm 30
Upthrust amount setting range mm 0～30 (step 0.001)
Max. upthrust speed mm/s 400
Upthrust speed setting range mm/s 0.001 ～ 400 (step 0.001)
Heat shrink stage Temperature setting range ℃ 400 ～ 600
Max. upthrust amount mm 20
Upthrust amount setting range mm 0 ～ 20 (step 0.001)
Max. up thrust speed mm/s 50
Upthrust speed setting range mm/s 0.001 ～ 50 (step 0.001)
Equipment dimensions (W×D×H) mm 1,200 × 1,800 × 1,955
Equipment weight kg Approx.1,000
4、日本DISCO芯片分割機(jī)DDS2320
通過(guò)有針對(duì)性的功能強(qiáng)化
實(shí)現(xiàn)面向Memory市場(chǎng)（大型芯片）的高產(chǎn)能?高信賴性的芯片分割機(jī)
Φ300 mm
SDBG
SDTT
SDBG (Stealth Dicing Before Grinding) 工藝后，穩(wěn)定的芯片分割
實(shí)現(xiàn)對(duì)隱形切割加工后內(nèi)部形成改質(zhì)層的晶片和粘有DAF的芯片進(jìn)行穩(wěn)定的分割。
實(shí)現(xiàn)高產(chǎn)能并提高加工后Device的可靠度
通過(guò)采用新開發(fā)的擴(kuò)片單元以及工件反轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)高產(chǎn)能的同時(shí)，提高了Device的可靠度。
實(shí)現(xiàn)高產(chǎn)能
冷擴(kuò)張及熱收縮的一體化
在同一擴(kuò)片單元內(nèi)實(shí)現(xiàn)冷擴(kuò)張和熱收縮。和以往機(jī)型相比，省略了需在兩單元間的工件傳送的步驟，實(shí)現(xiàn)了產(chǎn)能的提高，且降低了傳送過(guò)程中破片的風(fēng)險(xiǎn)。
雙擴(kuò)片單元的并列加工
通過(guò)搭載2個(gè)擴(kuò)片單元，實(shí)現(xiàn)并列加工，可期待對(duì)產(chǎn)能的提高。除此之外和以往機(jī)型相同，在熱收縮后可以直接以Tape Frame的方式進(jìn)入Die Bounding工序。
提高加工后Device的信賴度
通過(guò)將工件反轉(zhuǎn)后的搬運(yùn)/加工/清洗，減少了碎屑的附著。以此提高Device的信賴度和良率。
反轉(zhuǎn)冷擴(kuò)張?熱收縮
通過(guò)將工件面朝下進(jìn)行冷擴(kuò)張?熱收縮的工藝，促使在芯片分割?膠膜收縮時(shí)所發(fā)生的碎屑下落、防止其二次附著。
反轉(zhuǎn)SP的清洗?搬運(yùn)
保持芯片化后的工件面朝下的狀態(tài)，進(jìn)行SP清洗。通過(guò)上述工藝，抑制了碎屑的二次附著。
削減約40%的空間占有率
以往機(jī)型需要在本體的周圍設(shè)置復(fù)數(shù)的配套機(jī)械，通過(guò)將配套機(jī)械的內(nèi)置化，實(shí)現(xiàn)了空間的節(jié)省。
技術(shù)規(guī)格
規(guī)格 單位
最大工件尺寸 mm Φ300
（只對(duì)應(yīng)Φ12inch Tape Frame）
擴(kuò)片機(jī)臺(tái) 溫度設(shè)定范圍 ℃ -2～30℃（可変）
最大擴(kuò)片上頂量 mm 30
擴(kuò)片上頂量 設(shè)定范圍 mm 0 ～30 (Step 0.001)
最大擴(kuò)片上頂速度 mm/s 400
擴(kuò)片上頂速度 設(shè)定范圍 mm/s 0.001 ～ 400 (step 0.001)
溫風(fēng)、溫度設(shè)定范圍 ℃ 150～250℃（可変）
溫風(fēng)、流量設(shè)定范圍 L/mm 0～30（可変）
設(shè)備尺寸 (W×D×H) mm 1,300 × 1,800 × 1,800
設(shè)備重量 kg 約1,126
